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SI3433CDV-T1-GE3 Vishay

Name: SI3433CDV-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 19300240-5
Price: 660 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R

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Technische Details SI3433CDV-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote SI3433CDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.95 EUR

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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R

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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R

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Hersteller : Vishay

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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R

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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

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3000+	0.25 EUR
9000+	0.23 EUR

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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

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19+	0.95 EUR
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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R

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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

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SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

SI3433CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors

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