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Technische Details SI3440DV-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.14W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI3440DV-T1-E3 nach Preis ab 0.61 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 80873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
auf Bestellung 5042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.14W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.14W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3440DV-T1-E3 |
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auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI3440DV-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI3440DV-T1-E3 SMD N channel transistors |
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