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SI3440DV-T1-E3

SI3440DV-T1-E3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details SI3440DV-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.14W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3440dv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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4000+1.06 EUR
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SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 VISHAY VISHS82198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1827 Stücke:
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73+3.45 EUR
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132+1.63 EUR
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SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 VISHAY VISHS82198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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100+3.45 EUR
102+2.28 EUR
132+1.63 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
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SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Vishay Semiconductors si3440dv.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
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1+3.72 EUR
10+1.74 EUR
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3000+1.02 EUR
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SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3440dv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5042 Stücke:
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6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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181+0.98 EUR
183+0.95 EUR
184+0.93 EUR
250+0.89 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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168+1.05 EUR
181+0.94 EUR
183+0.89 EUR
184+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3440DV-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.19 EUR
4000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3440DV-T1-E3 VISHS82198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3440DV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1827 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
73+3.45 EUR
102+2.28 EUR
132+1.63 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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SI3440DV-T1-E3 VISHS82198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3440DV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
100+3.45 EUR
102+2.28 EUR
132+1.63 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
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MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 61598 Stücke:
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1+3.72 EUR
10+1.74 EUR
100+1.24 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.02 EUR
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SI3440DV-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+2.64 EUR
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500+1.42 EUR
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