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Si3443DV

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SI3443DV SI3443DV Hersteller : FAIRCHILD 3674899966064104si3443dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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SI3443DV Hersteller : ONS/FAI SI3443DV.pdf MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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SI3443DV SI3443DV Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS43863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
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SI3443DV SI3443DV Hersteller : Infineon Technologies Si3443DV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
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SI3443DV SI3443DV Hersteller : onsemi si3443dv-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
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SI3443DV SI3443DV Hersteller : Infineon / IR FAIRS43863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Si3443DV.pdf si3443dv-d.pdf MOSFET
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SI3443DV SI3443DV Hersteller : onsemi / Fairchild SI3443DV_D-2320170.pdf MOSFET SSOT6 SINGLE PCH
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SI3443DV SI3443DV Hersteller : Vishay / Siliconix FAIRS43863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Si3443DV.pdf si3443dv-d.pdf MOSFET
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