Produkte > VISHAY > SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3 Vishay


si4368dy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4368DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote SI4368DY-T1-E3 nach Preis ab 1.84 EUR bis 8.23 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3 Vishay si4368dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3 Vishay si4368dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.37 EUR
54+3.2 EUR
100+2.53 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4368dy.pdf MOSFETs 30 Volt 25 Amp 3.5W
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+3.97 EUR
100+3.17 EUR
2500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4368dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
10+5.43 EUR
50+4.21 EUR
100+3.82 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DYT1E3 VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 VISHAY si4368dy.pdf 09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.37 EUR
54+3.2 EUR
100+2.53 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30 Volt 25 Amp 3.5W
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.5 EUR
10+3.97 EUR
100+3.17 EUR
2500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.23 EUR
10+5.43 EUR
50+4.21 EUR
100+3.82 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DYT1E3
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Hersteller: VISHAY
09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH