SI4401BDY-T1-E3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
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Technische Details SI4401BDY-T1-E3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Mounting: SMD, Case: SO8, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -50A, Drain-source voltage: -40V, Drain current: -8.3A, Gate charge: 55nC, On-state resistance: 14mΩ, Power dissipation: 2.9W, Gate-source voltage: ±20V.
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SI4401BDY-E3 | Vishay / Siliconix |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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