SI4408DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI4408DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 21A, Power dissipation: 3.5W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 32nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 60A.
Weitere Produktangebote SI4408DY-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI4408DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 20V 21A 3.5W 4.5mohm @ 10V |
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| SI4408DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 21A Power dissipation: 3.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A |
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