SI4431CDY-T1-E3
Produktcode: 179028
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IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
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Weitere Produktangebote SI4431CDY-T1-E3 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI4431CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active |
auf Bestellung 4645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4431CDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 4.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SI4431CDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4431CDY-T1-E3 | VISHAY |
08NOPB |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4431CDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.66 EUR |
| SI4431CDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.85 EUR |
| 13+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| SI4431CDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.52 EUR |
| 10+ | 1.57 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
| 2500+ | 0.65 EUR |
| 5000+ | 0.61 EUR |
| SI4431CDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI4431CDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI4431CDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
08NOPB
08NOPB
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)