SI4434DY-T1-E3
Produktcode: 164124
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Weitere Produktangebote SI4434DY-T1-E3 nach Preis ab 2.16 EUR bis 6.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI4434DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4434DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4434DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4434DY-T1-E3 | VISHAY |
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auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| SI4434DYT1E3 | VISHAY |
auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4434DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.51 EUR |
| 10+ | 3.7 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 2.16 EUR |
| SI4434DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.3 EUR |
| 10+ | 4.15 EUR |
| 100+ | 2.93 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| SI4434DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.44 EUR |
| SI4434DY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| SI4434DYT1E3 |
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)