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SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3 Vishay

si4435ddy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4435DDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
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SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
167+0.43 EUR
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2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
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SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
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SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3336 Stücke:
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SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4435DDYT1E3 Hersteller : VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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