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Technische Details SI4435DDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4435DDY-T1-E3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.90 EUR
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 3184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4435DDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI4435DDY SMD P channel transistors |
auf Bestellung 1141 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4435DDYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |