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SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3 VISHAY

SI4435DDY.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Technische Details SI4435DDY-T1-E3 VISHAY

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -6.5A, Pulsed drain current: -50A, Power dissipation: 3.2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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