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SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3 Vishay

si4442dy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4442DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V.

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SI4442DY-T1-E3 SI4442DY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4442dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
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Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4442dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
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Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4442dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
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Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4442dy-1765403.pdf MOSFET 30V 22A 3.5W
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Si4442DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4442dy.pdf SI4442DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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