Technische Details SI4463BDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Weitere Produktangebote SI4463BDY-T1-E3 nach Preis ab 1.15 EUR bis 5.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI4463BDY-T1-E3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm |
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4463BDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
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| SI4463BDYT1E3 | VISHAY |
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| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
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SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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|---|---|
| 100+ | 3.2 EUR |
| 106+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 3.69 EUR |
| 68+ | 2.49 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1585 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 3.69 EUR |
| 68+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.49 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 2500+ | 1.33 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.55 EUR |
| 60+ | 2.82 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
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SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 47+ | 5.38 EUR |
| 73+ | 3.2 EUR |
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