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Technische Details SI4463BDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Weitere Produktangebote SI4463BDY-T1-E3 nach Preis ab 1.17 EUR bis 5.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4463BDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
auf Bestellung 2469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4463BDY-T1-E3 | Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm |
auf Bestellung 9947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4463BDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
auf Bestellung 2469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4463BDYT1E3 | VISHAY |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 96+ | 1.8 EUR |
| 111+ | 1.5 EUR |
| 130+ | 1.23 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 3.63 EUR |
| 68+ | 2.5 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 3.67 EUR |
| 68+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 3.9 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
auf Bestellung 9947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.49 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 2500+ | 1.33 EUR |
| SI4463BDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 43+ | 5.84 EUR |
| 67+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| SI4463BDYT1E3 |
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
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