SI4465ADY-T1-E3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.08 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 250+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.72 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 2500+ | 1.42 EUR |
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Technische Details SI4465ADY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm.
Weitere Produktangebote SI4465ADY-T1-E3 nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 8V 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm |
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4465ADYT1E3 | Hersteller : SIVHAY |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI4465ADY-T1-E3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
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