SI4465ADY-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 4.52 EUR |
| 10+ | 3.74 EUR |
| 100+ | 2.98 EUR |
| 500+ | 2.52 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
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Technische Details SI4465ADY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4465ADY-T1-E3 nach Preis ab 2.09 EUR bis 4.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V |
auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4465ADYT1E3 | Hersteller : SIVHAY |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -13.7A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
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| SI4465ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -13.7A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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