SI4465ADY-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.67 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.43 EUR |
| 250+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 2500+ | 1.69 EUR |
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Technische Details SI4465ADY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.
Weitere Produktangebote SI4465ADY-T1-E3 nach Preis ab 1.31 EUR bis 5.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI4465ADY-T1-E3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 9000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
auf Bestellung 9770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4465ADY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SI4465ADYT1E3 | SIVHAY |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | VISHAY |
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auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4465ADY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
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Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
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Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 9770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.7 EUR |
| 69+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| 5000+ | 1.31 EUR |
| SI4465ADY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI4465ADYT1E3 |
Hersteller: SIVHAY
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| SI4465ADY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)