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SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3 Vishay


si4488dy090512.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4488DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.

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SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4488dy-090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
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SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4488dy-090512.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
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SI4488DYT1E3 Hersteller : VISHAY
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SI4488DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4488dy-090512.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4488DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4488dy-090512.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
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Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
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