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SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4488DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 3.1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
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SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014753782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Vishay si4488dy-090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
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SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4488dy-090512.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014753782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4488DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4488DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 634 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
500+2.44 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+3.06 EUR
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SI4488DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.59 EUR
10+3.89 EUR
100+2.7 EUR
500+2.32 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 1572 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+6.45 EUR
10+3.25 EUR
100+2.93 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.37 EUR
2500+2.24 EUR
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SI4488DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 634 Stücke:
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33+7.7 EUR
50+4.66 EUR
100+3 EUR
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