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Technische Details SI4490DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI4490DY-T1-E3 nach Preis ab 1.07 EUR bis 6.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SI4490DY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4490DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4490DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4490DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4490DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI44 |
auf Bestellung 11808 Stücke: Lieferzeit 439-443 Tag (e) |
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SI4490DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
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| SI4490DYT1E3 | VISHAY |
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| SI4490DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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| SI4490DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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| SI4490DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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| 2500+ | 1.48 EUR |
| SI4490DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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| SI4490DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
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| SI4490DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
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| 10+ | 4.09 EUR |
| 100+ | 2.86 EUR |
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| SI4490DYT1E3 |
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
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