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Technische Details SI4634DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 24.5A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 5.7W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 68nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4634DY-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC |
auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4634DY-T1-GE3 |
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auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4634DY-T1-GE3 |
VISHAY 10+ SOP8 |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |