
SI4634DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Anzahl | Preis |
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1+ | 3.36 EUR |
10+ | 2.32 EUR |
100+ | 1.66 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
1000+ | 1.28 EUR |
2500+ | 1.16 EUR |
5000+ | 1.12 EUR |
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Technische Details SI4634DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 24.5A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 5.7W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 68nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4634DY-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4634DY-T1-GE3 |
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auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4634DY-T1-GE3 |
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auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SI4634DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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