SI4835BDY-T1-E3
Produktcode: 27600
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SI4835BDYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4835BDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY | 0702+ |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4835BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4835BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4835BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4835DDY-E3 |
Produkt ist nicht verfügbar |