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SI4850BDY-T1-GE3

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Produktcode: 223065
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 799 Stücke:
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233+0.74 EUR
235+0.71 EUR
244+0.67 EUR
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253+0.63 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.77 EUR
233+0.7 EUR
235+0.68 EUR
244+0.62 EUR
250+0.58 EUR
253+0.56 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
143+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4850bdy.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 3236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.37 EUR
100+1.23 EUR
500+0.95 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4850bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
50+1.39 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
96+2.44 EUR
143+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+0.74 EUR
235+0.71 EUR
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SI4850BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
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AnzahlPrivatkunde
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SI4850BDY-T1-GE3 VISH-S-A0010924707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4850BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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143+1.5 EUR
500+1.18 EUR
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SI4850BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 3236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.37 EUR
100+1.23 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
50+1.39 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3 VISH-S-A0010924707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4850BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.15 EUR
96+2.44 EUR
143+1.5 EUR
500+1.18 EUR
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