
SI4850EY-E3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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70+ | 1.03 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
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Technische Details SI4850EY-E3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 1.2W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, Case: SO8, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 6A, On-state resistance: 22mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI4850EY-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-E3 Produktcode: 152187
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SI4850EY-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
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