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SI4850EY-E3

SI4850EY-E3 VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C85083ED3A469&compId=SI4850EY-E3.pdf?ci_sign=c7427b873f0c2aaa0d235feef8f4560d3754ed86 Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
80+0.90 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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Technische Details SI4850EY-E3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 6A, On-state resistance: 22mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 27nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, Case: SO8, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4850EY-E3 SI4850EY-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C85083ED3A469&compId=SI4850EY-E3.pdf?ci_sign=c7427b873f0c2aaa0d235feef8f4560d3754ed86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
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