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SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4850EY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Vishay Semiconductors 71146.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Vishay Siliconix 71146.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002472638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
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Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4850EY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
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AnzahlPrivatkunde
43+5.84 EUR
59+3.99 EUR
100+2.42 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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