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SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3 VISHAY

VISH-S-A0002472638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 185 Stücke:
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Technische Details SI4850EY-T1-E3 VISHAY

Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Vishay Semiconductors 71146.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
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10+3.01 EUR
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SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002472638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
auf Bestellung 1 Stücke:
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Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
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