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Technische Details SI4850EY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI4850EY-T1-E3 nach Preis ab 0.63 EUR bis 4.08 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
auf Bestellung 9500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W On-state resistance: 47mΩ Drain current: 8.5A Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W On-state resistance: 47mΩ Drain current: 8.5A Drain-source voltage: 60V |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 21574 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
auf Bestellung 9838 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
auf Bestellung 6795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4850EYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
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