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SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3 Vishay


si4874bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4874BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V.

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SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
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Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix Si4874BDY.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
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Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors Si4874BDY.PDF MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
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Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix Si4874BDY.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
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Si4874BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY Si4874BDY.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Si4874BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY Si4874BDY.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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