SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.97 EUR |
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Technische Details SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.4W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote SI4894BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI4894BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V |
auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4894BDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4894BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 135500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4894BDY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V
MOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 2500+ | 0.84 EUR |
| 5000+ | 0.83 EUR |
| SI4894BDY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI4894BDY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 135500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)