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SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors


72001.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
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Technische Details SI4925BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix 72001.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI4925BDYT1E3 Hersteller : VISHAY
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SI4925BDY-T1-E3
Produktcode: 173526
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SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay 72001.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C92E232A5C469&compId=SI4925BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=eb641e9b7f8dcef9e6fee4fa9bb8c5c0be01552d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix 72001.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C92E232A5C469&compId=SI4925BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=eb641e9b7f8dcef9e6fee4fa9bb8c5c0be01552d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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