Produkte > VISHAY > SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3 VISHAY

Name: SI4946BEY-T1-E3
Brand: VISHAY
SKU: 14801480-8
Price: 72.67 EUR
Availability: InStock

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59

Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC

auf Bestellung 2923 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
43+	1.69 EUR
52+	1.39 EUR
105+	0.69 EUR
111+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4946BEY-T1-E3 VISHAY

Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4946BEY-T1-E3 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.85 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : VISHAY

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2923 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
43+	1.69 EUR
52+	1.39 EUR
105+	0.69 EUR
111+	0.65 EUR
5000+	0.64 EUR
10000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
59+	2.54 EUR
74+	1.93 EUR
81+	1.71 EUR
100+	1.39 EUR
250+	1.30 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 59

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V 6.5A 3.7W

auf Bestellung 37511 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2+	2.57 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	3.85 EUR
10+	2.47 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 38139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2256 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : VISHAY

auf Bestellung 38139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay

Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	3.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Siliconix

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3
Produktcode: 196051

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEYT1E3

Hersteller : VISHAY

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay Semiconductor

2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH