SI4946BEY-T1-E3
Produktcode: 196051
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Weitere Produktangebote SI4946BEY-T1-E3 nach Preis ab 1.31 EUR bis 4.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4946BEY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 6.5A 3.7W |
auf Bestellung 37511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4946BEY-T1-E3 | Siliconix |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4946BEYT1E3 | VISHAY |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SI4946BEY-T1-E3 | Vishay Semiconductor |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 16 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4946BEY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 6.5A 3.7W
MOSFETs 60V 6.5A 3.7W
auf Bestellung 37511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.06 EUR |
| 10+ | 2.4 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| SI4946BEY-T1-E3 |
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Hersteller: Siliconix
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 4.26 EUR |
| SI4946BEYT1E3 |
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| SI4946BEY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductor
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 16 Stücke: