SI4946BEY-T1-E3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Preis |
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| 37+ | 1.94 EUR |
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Technische Details SI4946BEY-T1-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI4946BEY-T1-E3 nach Preis ab 0.95 EUR bis 3.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A Gate charge: 25nC On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 3.7W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 6.5A 3.7W |
auf Bestellung 37511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4946BEYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductor |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4946BEY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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