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SI4948BEY-T1-E3

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Produktcode: 149484
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1 EUR
5000+0.93 EUR
7500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
87+2 EUR
127+1.34 EUR
250+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.24 EUR
86+1.98 EUR
87+1.88 EUR
127+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4948be.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 78915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.2 EUR
100+1.51 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 9408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf 2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEYT1E3 VISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1 EUR
5000+0.93 EUR
7500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.05 EUR
87+2 EUR
127+1.34 EUR
250+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+2.24 EUR
86+1.98 EUR
87+1.88 EUR
127+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 78915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+2.2 EUR
100+1.51 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 9408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI4948BEY-T1-E3 VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
Hersteller: Vishay
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEYT1E3
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH