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SI6423ADQ-T1-GE3

SI6423ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix


si6423adq.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
auf Bestellung 5885 Stücke:

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Technische Details SI6423ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V.

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SI6423ADQ-T1-GE3 SI6423ADQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si6423adq.pdf MOSFETs TSSOP P CHAN 20V
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SI6423ADQ-T1-GE3 SI6423ADQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si6423adq.pdf Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
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