SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 2.88 EUR |
| 100+ | 2.25 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
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Technische Details SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 19.5A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 9.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SI7106DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.83 EUR bis 5.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI7106DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 23106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7106DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 23106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.59 EUR |
| 10+ | 3.62 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| 3000+ | 1.83 EUR |