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SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7113dn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.134 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 Vishay si7113dn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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94+1.87 EUR
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SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 Vishay si7113dn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7113dn.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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1+3.96 EUR
10+2.32 EUR
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SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7113dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging: Cut Tape (CT)
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SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000784942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.134 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI7113DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI7113DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.134 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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