SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.05 EUR |
| 6000+ | 1.01 EUR |
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Technische Details SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.119 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7113DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.71 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.5A On-state resistance: 0.134Ω Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2563 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.5A On-state resistance: 0.134Ω Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A |
auf Bestellung 2563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 98522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.119 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 7096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7113DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
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