SI7145DPT1GE3
Produktcode: 145072
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V |
auf Bestellung 13975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V |
auf Bestellung 14230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 75828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7145DPT1GE3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7145DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |