Produkte > Verschiedene Bauteile > Other components 3 > SI7145DPT1GE3

SI7145DPT1GE3

Produktcode: 145072
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SI7145DPT1GE3 nach Preis ab 1.48 EUR bis 10.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7145dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay si7145dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
81+2 EUR
100+1.73 EUR
250+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay si7145dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
81+2.08 EUR
100+1.82 EUR
250+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7145dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
10+2.53 EUR
100+2.32 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7145dp.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 75828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.73 EUR
100+2.45 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.93 EUR
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 VISHAY si7145dp.pdf Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.27 EUR
50+6.26 EUR
100+4.05 EUR
500+3.4 EUR
1500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DPT1GE3 VISHAY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.37 EUR
81+2 EUR
100+1.73 EUR
250+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.37 EUR
81+2.08 EUR
100+1.82 EUR
250+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.84 EUR
10+2.53 EUR
100+2.32 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 75828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.95 EUR
10+2.73 EUR
100+2.45 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.93 EUR
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.27 EUR
50+6.26 EUR
100+4.05 EUR
500+3.4 EUR
1500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DPT1GE3
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH