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SI7234DP-T1-GE3

SI7234DP-T1-GE3 Vishay

si7234dp.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7234DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 2800 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2800µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 Vishay si7234dp.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000149119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 0.0028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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55+3.12 EUR
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46+3.86 EUR
55+3.01 EUR
100+2.39 EUR
250+2.28 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7234dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 2198 Stücke:
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3+7.06 EUR
10+4.63 EUR
100+3.25 EUR
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SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7234dp.pdf MOSFETs 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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1+7.1 EUR
10+4.66 EUR
100+3.28 EUR
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1000+2.78 EUR
3000+2.49 EUR
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SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000149119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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28+9.04 EUR
50+5.52 EUR
100+3.59 EUR
500+3 EUR
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 0.0028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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55+3.12 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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55+3.01 EUR
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Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
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1000+2.78 EUR
3000+2.49 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3947 Stücke:
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