SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI7370DP-T1-E3 nach Preis ab 2.28 EUR bis 7.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SI7370DP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 34383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7370DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V |
auf Bestellung 24515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7370DP-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7370DP-T1-E3 | VISHAY |
SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7370DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 4.58 EUR |
| 10+ | 3.81 EUR |
| 100+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| 1000+ | 2.28 EUR |
| SI7370DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.62 EUR |
| 10+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.45 EUR |
| 1000+ | 2.42 EUR |
| SI7370DP-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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|---|---|
| 34+ | 7.45 EUR |
| 50+ | 5.25 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| 1500+ | 3.06 EUR |
| SI7370DP-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
SO-8
SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)