SI7374DP-T1-E3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Case: PowerPAK® SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 6.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 56W
Pulsed drain current: 100A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7374DP-T1-E3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Case: PowerPAK® SO8, Technology: TrenchFET®, Gate charge: 122nC, On-state resistance: 6.6mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 24A, Drain-source voltage: 30V, Power dissipation: 56W, Pulsed drain current: 100A, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7374DP-T1-E3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7374DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
SI7374DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
SI7374DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Case: PowerPAK® SO8 Technology: TrenchFET® Gate charge: 122nC On-state resistance: 6.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 24A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 56W Pulsed drain current: 100A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |