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SI7374DP-T1-E3 VISHAY

Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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Technische Details SI7374DP-T1-E3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 24A, On-state resistance: 6.6mΩ, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Power dissipation: 56W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 122nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 100A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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SI7374DP-T1-E3	Hersteller : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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