Weitere Produktangebote SI7390DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SI7390DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7390DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
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SI7390DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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| SI7390DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
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