Weitere Produktangebote SI7390DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI7390DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI7390DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7390DP-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Mounting: SMD On-state resistance: 13.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC |
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| SI7390DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7390DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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| SI7390DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
On-state resistance: 13.5mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
On-state resistance: 13.5mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
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