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Technische Details SI7450DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI7450DP-T1-E3 nach Preis ab 1.98 EUR bis 7.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI7450DP-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7450DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7450DP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI74 |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7450DPT1E3 | VISHAY |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| Si7450DP-T1E3 | VISHAY | 10+ 5D18 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7450DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| SI7450DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.22 EUR |
| 10+ | 4.74 EUR |
| 100+ | 3.31 EUR |
| 500+ | 2.73 EUR |
| SI7450DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.25 EUR |
| 10+ | 4.66 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.68 EUR |
| 3000+ | 2.53 EUR |
| SI7450DPT1E3 |
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Si7450DP-T1E3 |
Hersteller: VISHAY
10+ 5D18
10+ 5D18
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)