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| 3000+ | 1.66 EUR |
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Technische Details SI7450DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI7450DP-T1-E3 nach Preis ab 1.66 EUR bis 5.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI7450DP |
auf Bestellung 25254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
1035+ QFN8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Si7450DP-T1E3 | Hersteller : VISHAY | 10+ 5D18 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
08+PBF |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
03+ |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7450DPT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 5.3A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 5.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
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SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SI7450DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 5.3A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 5.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
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