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Technische Details SI7454FDP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI7454FDP-T1-RE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V |
auf Bestellung 48478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7454FDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SI7454FDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7454FDP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.64 EUR |
| 6000+ | 0.6 EUR |
| 9000+ | 0.57 EUR |
| 15000+ | 0.55 EUR |
| 21000+ | 0.54 EUR |
| SI7454FDP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.31 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 0.97 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 3000+ | 0.63 EUR |
| SI7454FDP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
auf Bestellung 48478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.45 EUR |
| 12+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| SI7454FDP-T1-RE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI7454FDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI7454FDP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)