SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 143+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1500+ | 1.07 EUR |
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Technische Details SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 39W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm.
Weitere Produktangebote SI7454FDP-T1-RE3 nach Preis ab 0.76 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 5092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7454FDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 39W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm |
auf Bestellung 1873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7454FDP-T1-RE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.93 EUR |
| 10+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 3000+ | 0.77 EUR |
| 6000+ | 0.76 EUR |
| SI7454FDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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auf Bestellung 1873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 67+ | 3.77 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 143+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1500+ | 1.07 EUR |