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SI7463DP-T1-E3

SI7463DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7463dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
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Technische Details SI7463DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+2.88 EUR
62+2.24 EUR
100+1.90 EUR
250+1.80 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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62+2.24 EUR
100+1.90 EUR
250+1.80 EUR
500+1.65 EUR
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+4.27 EUR
49+2.96 EUR
100+2.30 EUR
250+2.18 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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35+4.31 EUR
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100+2.32 EUR
250+2.20 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7463dp.pdf MOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
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1+5.14 EUR
10+3.50 EUR
100+2.66 EUR
250+2.64 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
3000+2.06 EUR
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si7463dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
auf Bestellung 5289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.09 EUR
10+3.98 EUR
100+2.78 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000186115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000186115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7463DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY si7463dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7463DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY si7463dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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