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SI7463DP-T1-GE3

SI7463DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7463dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+2.53 EUR
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Technische Details SI7463DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000186115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7463dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
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SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 VISHAY si7463dp.pdf Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7463DP-T1-GE3 VISH-S-A0000186115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7463DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7463DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+7.02 EUR
10+4.76 EUR
100+3.45 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.63 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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