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Technische Details SI7465DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI7465DP-T1-E3 nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.60 EUR
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 150924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
auf Bestellung 10264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2564 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
10 SOP8 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 Produktcode: 199543
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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