SI7465DP-T1-E3
Produktcode: 199543
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Weitere Produktangebote SI7465DP-T1-E3 nach Preis ab 0.61 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
auf Bestellung 19006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 127458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7465DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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