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SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7615dn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+1.23 EUR
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Technische Details SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7615DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm.

Weitere Produktangebote SI7615DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.08 EUR bis 5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Vishay si7615dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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99+1.78 EUR
105+1.67 EUR
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SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 VISHAY si7615dn.pdf Description: VISHAY - SI7615DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2981 Stücke:
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150+2.14 EUR
500+1.77 EUR
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
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Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
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FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging: Cut Tape (CT)
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SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7615dn.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI76
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1+4.19 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.29 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
auf Bestellung 2981 Stücke:
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77+3.02 EUR
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Description: VISHAY - SI7615DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
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