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SI7850DP-T1-E3 Транзистор


Produktcode: 224644
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
500+2.33 EUR
1500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Vishay Semiconductors 71625.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 23915 Stücke:
Lieferzeit 270-274 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+3.22 EUR
100+2.37 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.75 EUR
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SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 VISHAY 71625.pdf Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.9 EUR
58+4.03 EUR
100+2.92 EUR
500+2.33 EUR
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SI7850DP-T1-E3 VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Hersteller: VISHAY
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