Weitere Produktangebote SI7850DP-T1-E3 Транзистор nach Preis ab 1.75 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI7850DP-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 2491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 23915 Stücke: Lieferzeit 270-274 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7850DP-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
| 1500+ | 2.13 EUR |
| SI7850DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 23915 Stücke:
Lieferzeit 270-274 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.49 EUR |
| 10+ | 3.22 EUR |
| 100+ | 2.37 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| 3000+ | 1.75 EUR |
| SI7850DP-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 43+ | 5.9 EUR |
| 58+ | 4.03 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |



