SI7880ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI7880ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 83W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 125nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SI7880ADP-T1-E3 nach Preis ab 3.89 EUR bis 9.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SI7880ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 6296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7880ADP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 40A 83W |
auf Bestellung 2530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7880ADP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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| SI7880ADP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 40A 83W
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| 1+ | 9.76 EUR |
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