SI7922DN-T1-E3
Produktcode: 149546
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote SI7922DN-T1-E3 nach Preis ab 1.32 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI7922DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7922DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7922DN-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| SI7922DN-T1-E3 | VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 3938 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7922DN-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.12 EUR |
| 10+ | 2.79 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.84 EUR |
| 1000+ | 1.53 EUR |
| SI7922DN-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.78 EUR |
| 10+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 1.66 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| SI7922DN-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| SI7922DN-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
09+
09+
auf Bestellung 3938 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)