SI7922DN-T1-E3
Produktcode: 149546
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI7922DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7922DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7922DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7922DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 3938 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7922DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
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