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Technische Details SI8406DB-T2-E1 Vishay
Description: VISHAY - SI8406DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI8406DB-T2-E1 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
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SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1 |
auf Bestellung 5674 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
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SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
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SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
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SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8406DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 16 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400 euEccn: NLR Verlustleistung: 13 Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 13W On-state resistance: 42mΩ Pulsed drain current: 30A Drain current: 16A Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
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| SI8406DB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 13W On-state resistance: 42mΩ Pulsed drain current: 30A Drain current: 16A Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET |
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