SI8424CDB-T1-E1 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.34 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details SI8424CDB-T1-E1 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SI8424CDB-T1-E1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI8424CDB-T1-E1 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOTInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-Microfoot Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI8424CDB-T1-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 17400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SI8424CDB-T1-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 17400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI8424CDB-T1-E1 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 1.07 EUR |
| 25+ | 0.71 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| SI8424CDB-T1-E1 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI8424CDB-T1-E1 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH