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SI8424CDB-T1-E1

SI8424CDB-T1-E1 Vishay

si8424cdb.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
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Technische Details SI8424CDB-T1-E1 Vishay

Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.015 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : Vishay si8424cdb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : Vishay Semiconductors si8424cdb.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8424cdb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001228924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.015 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001228924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.015 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : Vishay si8424cdb.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8424cdb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
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SI8424CDB-T1-E1 Hersteller : VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Produkt ist nicht verfügbar
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