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SI8424CDB-T1-E1

SI8424CDB-T1-E1 Vishay

si8424cdb.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
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620+0.29 EUR
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Technische Details SI8424CDB-T1-E1 Vishay

Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 2.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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620+0.25 EUR
627+0.24 EUR
659+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Vishay Semiconductors si8424cdb.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
auf Bestellung 6100 Stücke:
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4+0.94 EUR
10+0.65 EUR
100+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Vishay Siliconix si8424cdb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1980 Stücke:
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17+1.27 EUR
25+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 VISHAY VISH-S-A0001228924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
206+1.13 EUR
317+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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